寬能隙功率元件再添新兵 氧化鎵進展值得觀察

作者: 黃繼寬
2021 年 05 月 06 日
氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)已經在功率半導體領域成功掀起一波材料革命,但除了這兩種寬能隙材料外,氧化鎵(Ga2O3)的發展,亦值得密切觀察。
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